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公司动态丨凯风Pre-A轮投资企业凌存科技:从一颗硅电容,到先进封装里的系统方案

2026-10-20 作者:admin 字号: 分享
凯风创投已投企业凌存科技近期获《半导体行业观察》报道。公司从先进存储的工艺积累出发,把硅电容做到量产,并进一步做到硅中介层,目标是在先进封装里解决供电和信号完整性问题。
2023年6月,凯风创投在凌存科技Pre-A轮成为公司首轮机构投资人,此后连续两轮追加投资。凯风看好的,是团队把存储阶段的薄膜与纳米工艺能力迁到硅电容,并按系统问题而不是单颗器件来定义产品。
 
产品已经形成矩阵
据公司公开信息,凌存已形成硅电容和 Interposer 两大产品矩阵,硅电容料号超过 200 款,覆盖高速光模块、AI 芯片电源去耦和射频等场景。
UB/UBA 超宽频系列面向高速光模块。HD 高容系列解决 SoC、CPU、GPU 的电源分配网络去耦。VE/DVE 垂直系列面向低速光模块与射频。中介层方向则把硅电容嵌入硅桥和硅中介层,分别对应 CoWoS-L 和 CoWoS-S 一类先进封装场景。
 
量产,而不是样品
据公司公开信息,UB 系列实现国内 110GHz 以上硅电容量产,110GHz 下 S21 优于 0.5dB。HD 系列容值密度达 3500nF/mm²,ESR 小于 0.9mΩ·mm²,ESL 小于 0.5pH·mm²。硅片厚度 55–775μm 可调,用来适配 CoWoS、CPO 的封装空间。
制造上采用 12 英寸 CMOS 平台,是国内同时具备 VIC 与 DTC 双工艺量产能力的企业。2022 年完成 12 英寸工艺转移并启动研发,2024 年多款产品完成风险量产,2025 年拓展至两大产品系列。
 
补上陶瓷电容进不去的那一段
硅电容要解决的,是 MLCC 在高频寄生、极限厚度和近封装空间上的边界。它不是全面替代陶瓷电容。陶瓷电容仍然是大多数电子系统的主力方案。硅电容补上的是 GHz 去耦、封装内近点供电和超薄集成这一段。
规格达标并不等于装进系统仍然有效。基板布线、互连路径、封装结构和高频寄生,都会改变器件在系统里的表现。凌存把自己定义为芯片设计公司,具备电源完整性、信号完整性和封装可靠性评估能力,可以在项目前期参与选型、布局和基板参考设计。
 
存储工艺迁过来的能力
这条路线并非追风。团队早期做电压调控磁性存储器和安全芯片,2022 年把器件工艺储备延伸到硅电容。磁隧道结本身就是金属—绝缘层—金属堆叠,薄膜控制和纳米尺度工艺,与高性能硅电容是同一套底层能力。高频读写和高速互连的经验,也可以复用到超宽频硅电容和硅中介层。
2026 年 9 月,凌存联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队,在《Nature Electronics》发表 96kb VCMRAM 成果。存储研发仍在继续,和硅电容、中介层形成技术互相反哺。
短期继续迭代分立硅电容。中长期把嵌入式硅电容做进硅中介层,缩短供电回路,面向 CoWoS、CPO 和 Chiplet 提供电源与互连方案。

凌存科技首席执行官吴迪博士说:「封装决定系统,互联决定带宽,场景定义产品,我们要做的,就是把产品更好地融入这三者之中。」
凯风创投将继续支持凌存科技在硅电容与先进封装方向的产品迭代和客户导入,与产业伙伴一起,把底层器件能力做成可交付的系统方案。